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SiC和GaN,最新研判!

发布时间:2024-04-17 11:37 来源:证券之星 阅读量:12129   

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Yole在最新的报告中表示,直流电动汽车充电对于电力电子厂商来说是一个相对较新的商机。随着充电桩数量逐年增加,这个市场将是可持续的,很快就会出现更换问题。只要汽车中默认存在车载充电器 ,交流充电器就会继续存在;只要数据中心基础设施没有“到处”得到强有力的整合(可能需要 10-15 年),OBC 就会继续存在。

到 2029 年,电动汽车直流充电系统市场总额将达到 230 亿美元。2023 年,最大的细分市场是 50 至 150 kW 的充电器。尽管如此,大功率充电器的需求却在快速增长,150kW以上功率需求旺盛。

到 2029 年,最大的市场价值将达到 92 亿美元,与超高功率充电器相关。采用 1,000 V 充电器将简化电动汽车车主的选择,无论电池组电压(400V 或 800V)如何,都可以“即插即用”。拥有基于 800 V 电池方法的电动汽车的原始设备制造商将不再为如何使电池适应 500V 充电器而烦恼。这将导致车辆体积、重量和成本的降低。

在中国,由于当地电力更便宜,本土能源供应和公共充电之间存在显着的协同作用。使用公用电网,采购、交易和优化电力成本变得更加容易。这使他们比其他充电点运营商 更具优势。它们还拥有更高的现金流,这使它们在危机期间具有更大的灵活性。Engie、Total Energies、壳牌和 Enel 收购了几家可能拥有良好充电设施的 CPO 初创公司。大多数充电器制造商已经进入该市场并且是主要参与者,例如ABB、Kempower、台达(工业转换器)、Kreisel(电池业务)、博世、博格华纳(一级公司)、特斯拉、蔚来和小鹏汽车(汽车制造商) 。充电基础设施市场仍然分散,主要参与者的排名迅速变化。

EV直流充电器的主要趋势是将最大充电器电压从500V增加到1,000V,以便能够为400V和800V电池充电,并将功率增加到350kW以上以实现超快速充电。充电器标称功率为 350 kW 及以上,远远超出了当今电动汽车的电池充电能力。这种超快速充电器越来越多地被设计为使用动态功率分配功能同时为两辆或更多车辆充电。只要 V2G 没有起飞,双向充电器就不会成为主流。

硅晶体管,即分立 IGBT 和 MOSFET,是电动汽车直流充电器中最常见的器件。更小的充电器占地面积、更高的热性能、1,200 V 击穿电压是 SiC MOSFET 器件的驱动因素。所有这些参数和投资回报(在高利用率充电站中)的结合使 SiC 得到了更多的采用。超快速充电器正在采用液体冷却。即使在噪音可能至关重要的住宅区或封闭区域中,即使功率较低,人们对这项技术的兴趣也越来越大。

RF GaN,迎来新机遇

尽管 2023 年 5G 电信基础设施领域的需求疲软,但 RF GaN 正在稳步超越 LDMOS,但被国防和卫星通信市场的持续增长所抵消。预计 RF GaN 市场将复苏,预计在电信基础设施、国防和卫星通信应用的推动下,RF GaN 市场将在 2024 年缓慢恢复势头,到 2029 年将超过 20 亿美元。MACOM 最近收购 OMMIC 和 Wolfspeed 的 RF 业务不仅增强了其市场占有率,而且改变了 RF GaN 行业格局,将 Wolfspeed 定位为纯 SiC 晶圆和 GaN-on-SiC 外延片供应商,并对开放的外延片市场产生影响。

多年来,射频 GaN 因其在功率放大器阶段的性能而一直用于 4G 基站。与此同时,国防应用不断扩大对军用雷达和电子战系统中射频碳化硅基氮化镓的需求。由于美国华为禁令、新冠疫情的影响以及基站部署放缓,2021 年 RF GaN 的下降趋势在 2022 年得到扭转。制造商的应对措施是加快在其系统中采用 GaN,以满足 5G 部署的复苏。硅基氮化镓最近引入电信基础设施将从 2023 年开始直接影响该行业,并可能带来新的市场机会。在此监测中,我们在器件级别跟踪 SEDI、Wolfspeed 的 RF 业务(现为 MACOM)、Qorvo 和 NXP,在晶圆和外延片级别跟踪 Wolfspeed、IQE Coherent 和 SICC。随着 RF GaN 市场的疲软和变化,该行业如何重塑自身并不断发展?

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